Задание 32. Задания 2 части с развернутым решением.
На плоскую алюминиевую пластинку падает электромагнитное излучение. Фотоэлектроны удаляются от поверхности пластинки на расстояние не более 2 см в задержи
На плоскую алюминиевую пластинку падает электромагнитное излучение. Фотоэлектроны удаляются от поверхности пластинки на расстояние не более 2 см в задержи
На плоскую металлическую пластинку падает электромагнитное излучение длиной волны 150 нм. Фотоэлектроны удаляются от поверхности пластинки на расстояние н
На плоскую металлическую пластинку падает электромагнитное излучение длиной волны 150 нм. Фотоэлектроны удаляются от поверхности пластинки на расстояние н
На плоскую алюминиевую пластинку (Авых = 4,2 эВ) падает ультрафиолетовое излучение, вызывающее фотоэффект. В задерживающем однородном электрическом п
На плоскую алюминиевую пластинку (Авых = 4,2 эВ) падает ультрафиолетовое излучение, вызывающее фотоэффект. В задерживающем однородном электрическом п
На плоскую серебряную пластинку (Авых = 4,7 эВ) падает ультрафиолетовое излучение с длиной волны 0,2 мкм. На какое максимальное расстояние от поверхн
На плоскую серебряную пластинку (Авых = 4,7 эВ) падает ультрафиолетовое излучение с длиной волны 0,2 мкм. На какое максимальное расстояние от поверхн
В опыте по изучению фотоэффекта свет длиной волны А, = 500 нм падает на поверхность катода, в результате чего в цепи возникает ток. График зависимости сил
В опыте по изучению фотоэффекта свет длиной волны А, = 500 нм падает на поверхность катода, в результате чего в цепи возникает ток. График зависимости сил
В опыте по изучению фотоэффекта свет частотой v = 5,2∙1014 Гц падает на поверхность катода, в результате чего в цепи возникает ток. График зависимост
В опыте по изучению фотоэффекта свет частотой v = 5,2∙1014 Гц падает на поверхность катода, в результате чего в цепи возникает ток. График зависимост
Период свободных электромагнитных колебаний в идеальном колебательном контуре, состоящем из конденсатора и катушки индуктивности, равен 6,3 мкс. Амплитуда
Период свободных электромагнитных колебаний в идеальном колебательном контуре, состоящем из конденсатора и катушки индуктивности, равен 6,3 мкс. Амплитуда
Период свободных электромагнитных колебаний в идеальном колебательном контуре, состоящем из конденсатора и катушки индуктивности, равен 6,3 мкс. Амплитуда
Период свободных электромагнитных колебаний в идеальном колебательном контуре, состоящем из конденсатора и катушки индуктивности, равен 6,3 мкс. Амплитуда
Квадратная проволочная рамка со стороной l= 10 см находится в однородном магнитном поле с индукцией В. На рисунке изображена зависимость проекци
Квадратная проволочная рамка со стороной l= 10 см находится в однородном магнитном поле с индукцией В. На рисунке изображена зависимость проекци
Квадратная проволочная рамка со стороной l=10см находится в однородном магнитном поле с индукцией В. На рисунке изображена зависимость проекции вектора&nb
Квадратная проволочная рамка со стороной l=10см находится в однородном магнитном поле с индукцией В. На рисунке изображена зависимость проекции вектора&nb
Главная оптическая ось тонкой собирающей линзы с оптической силой D = 5 дптр и точечный источник света S находятся в плоскости рисунка. Точка S
Главная оптическая ось тонкой собирающей линзы с оптической силой D = 5 дптр и точечный источник света S находятся в плоскости рисунка. Точка S
Главная оптическая ось тонкой собирающей линзы с фокусным расстоянием F = 20 см и точечный источник света S находятся в плоскости рису
Главная оптическая ось тонкой собирающей линзы с фокусным расстоянием F = 20 см и точечный источник света S находятся в плоскости рису
В плоскости, параллельной плоскости тонкой собирающей линзы, по окружности радиуса r=8 см движется точечный источник света с частотой v = 30 об/мин. Расст
В плоскости, параллельной плоскости тонкой собирающей линзы, по окружности радиуса r=8 см движется точечный источник света с частотой v = 30 об/мин. Расст
В плоскости, параллельной плоскости тонкой собирающей линзы, по окружности со скоростью v = 5 м/с движется точечный источник света. Расстояние м
В плоскости, параллельной плоскости тонкой собирающей линзы, по окружности со скоростью v = 5 м/с движется точечный источник света. Расстояние м
В дно водоёма глубиной 3 м вертикально вбита свая высотой 2,5 м, целиком скрытая под водой. Угол падения солнечных лучей на поверхность воды равен 30°. Ка
В дно водоёма глубиной 3 м вертикально вбита свая высотой 2,5 м, целиком скрытая под водой. Угол падения солнечных лучей на поверхность воды равен 30°. Ка
В дно водоёма глубиной 3 м вертикально вбита свая, целиком скрытая под водой. Угол падения солнечных лучей на поверхность воды равен 30°. Свая отбрасывает
В дно водоёма глубиной 3 м вертикально вбита свая, целиком скрытая под водой. Угол падения солнечных лучей на поверхность воды равен 30°. Свая отбрасывает
Равнобедренный прямоугольный треугольник АВС расположен перед тонкой собирающей линзой оптической силой 2,5 дптр так, что его катет АС
Равнобедренный прямоугольный треугольник АВС расположен перед тонкой собирающей линзой оптической силой 2,5 дптр так, что его катет АС
Равнобедренный прямоугольный треугольник АВС расположен перед тонкой собирающей линзой оптической силой 2,5 дптр так, что его катет АС
Равнобедренный прямоугольный треугольник АВС расположен перед тонкой собирающей линзой оптической силой 2,5 дптр так, что его катет АС
Фотоэлектроны, выбитые монохроматическим светом частотой v~7,4∙1014 Гц из металла с работой выхода Авых =2,4 эВ, попадают в однородное электриче
Фотоэлектроны, выбитые монохроматическим светом частотой v~7,4∙1014 Гц из металла с работой выхода Авых =2,4 эВ, попадают в однородное электриче
Фотоэлектроны, выбитые монохроматическим светом из металла с работой выхода Авых = 1,89 эВ, попадают в однородное электрическое поле Е = 10
Фотоэлектроны, выбитые монохроматическим светом из металла с работой выхода Авых = 1,89 эВ, попадают в однородное электрическое поле Е = 10
На плоскую цинковую пластинку (Авых = 3,75 эВ) падает электромагнитное излучение с частотой 1,2∙1015 Гц. На какое максимальное расстояние может
На плоскую цинковую пластинку (Авых = 3,75 эВ) падает электромагнитное излучение с частотой 1,2∙1015 Гц. На какое максимальное расстояние может
На плоскую цинковую пластинку (Авых = 3,75 эВ) падает электромагнитное излучение с длиной волны 0,3 мкм. Какова напряжённость задерживающего однородн
На плоскую цинковую пластинку (Авых = 3,75 эВ) падает электромагнитное излучение с длиной волны 0,3 мкм. Какова напряжённость задерживающего однородн
Ядро покоящегося нейтрального атома, находясь в однородном магнитном поле с индукцией В, испытывает α-распад. При этом рождаются α-частица и тяж
Ядро покоящегося нейтрального атома, находясь в однородном магнитном поле с индукцией В, испытывает α-распад. При этом рождаются α-частица и тяж
Ядро покоящегося нейтрального атома, находясь в однородном магнитном поле, испытывает α-распад. При этом рождаются α-частица и тяжёлый ион нового элемента
Ядро покоящегося нейтрального атома, находясь в однородном магнитном поле, испытывает α-распад. При этом рождаются α-частица и тяжёлый ион нового элемента
Точечный источник света движется со скоростью v = 5 м/с по окружности вокруг главной оптической оси тонкой собирающей линзы в плоскости, паралле
Точечный источник света движется со скоростью v = 5 м/с по окружности вокруг главной оптической оси тонкой собирающей линзы в плоскости, паралле
Точечный источник света движется со скоростью υ по окружности вокруг главной оптической оси собирающей линзы в плоскости, параллельной плоскости линзы на
Точечный источник света движется со скоростью υ по окружности вокруг главной оптической оси собирающей линзы в плоскости, параллельной плоскости линзы на
Тонкая собирающая линза с оптической силой D = 10 дптр находится между двумя точечными источниками света на расстоянии d от первого из
Тонкая собирающая линза с оптической силой D = 10 дптр находится между двумя точечными источниками света на расстоянии d от первого из
Тонкая собирающая линза с фокусным расстоянием F находится между двумя точечными источниками света на расстоянии d = 15 от одного из н
Тонкая собирающая линза с фокусным расстоянием F находится между двумя точечными источниками света на расстоянии d = 15 от одного из н
В электрической цепи, показанной на рисунке, ключ К длительное время замкнут, ℰ = 6 В, г = 2 Ом, L = 1 мГн. В момент t = 0 к
В электрической цепи, показанной на рисунке, ключ К длительное время замкнут, ℰ = 6 В, г = 2 Ом, L = 1 мГн. В момент t = 0 к
В электрической цепи, показанной на рисунке, ключ К длительное время замкнут, ℰ = 3 В, г = 2 Ом, L = 1 мГн, С = 50 мкФ. В мо
В электрической цепи, показанной на рисунке, ключ К длительное время замкнут, ℰ = 3 В, г = 2 Ом, L = 1 мГн, С = 50 мкФ. В мо